Intel predstavuje najpokročilejší proces výroby čipov na svete

Spoločnosť Intel Corporation predstavila niekoľko prelomových technológií, ktoré integrovala do svojho nového 90 nanometrového (nm) procesu,

najpokročilejšieho procesu výroby polovodičov v odvetví. Intel už tento výrobný proces použil pri výrobe kremíkových štruktúr a pamäťových čipov, ktorých parametre prekonali doterajšie rekordy. Budúci rok Intel nasadí tento proces v hromadnej výrobe s použitím 300 mm plátov.Nový 90 nm (nanometer je miliardina metra) proces používa výkonnejšie tranzistory s nižšou spotrebou energie, technológiu napnutého kremíka, vysokorýchlostné medené spoje a nový dielektrický materiál s nízkou konštantou. Je to vôbec po prvý krát, keď budú všetky tieto technológie integrované v jednom výrobnom procese. „Zatiaľ čo niektoré spoločnosti pomaly prevádzkujú výrobu na 130 nm (0,13mikronový) proces na 200 mm plátoch, my ideme dopredu s najvyspelejšou 90 nm technológiou výhradne na 300 mm plátoch, povedal Dr. Sunlin Chou, senior viceprezident a riaditeľ Technology and Manufacturing Group spoločnosti Intel. „Táto kombinácia umožní spoločnosti Intel vyrábať lepšie produkty a znižovať výrobné náklady. Už desať rokov udržuje Intel tempo Mooreovho zákona tým, že každé dva roky uvádza novú generáciu výrobného procesu. 90 nm proces je ďalšou generáciou po 0,13mikrónovom procese, ktorý Intel teraz používa pri výrobe drvivej väčšiny svojich mikroprocesorov. Prelomová technológiaVyspelé tranzistory: V novom 90 nm procese spoločnosti Intel sa budú používať tranzistory o dĺžke brány len 50 nm, čo budú najmenšie a najvýkonnejšie CMOS tranzistory vo výrobe. Pre porovnanie, najvyspelejšie vyrábaný tranzistor súčasnosti, ktorý sa nachádza v procesoroch Intel® Pentium® 4, meria 60 nm. Malé, rýchle tranzistory sú stavebnými blokmi veľmi rýchlych procesorov. Tieto tranzistory obsahujú bránové oxidy o hrúbke len päť atómových vrstiev (1,2 nm). Tenký bránový oxid zvyšuje rýchlosť tranzistora. Napnutý kremík: Intel do tohoto procesu integroval vlastnú implementáciu vysoko výkonného napnutého kremíka (strained silicon). Vďaka použitiu napnutého kremíka tečie prúd plynulejšie, čo zvyšuje rýchlosť tranzistorov. Bude to prvý proces v odvetví, ktorý používa napnutý kremík vo výrobe. Medené spoje s novým dielektrikom s nízkou konštantou: V procese je tiež integrovaný nový dielektrický materiál, uhlíkom legovaný oxid (CDO, carbon-doped oxide), ktorý zvyšuje rýchlosť signálu vo vnútri čipu a znižuje spotrebu energie čipu. Toto dielektrikum je implementované v jednoduchom dvojvrstvovom riešení, ktorého výroba je pomerne ľahká. Nový proces láme rekordyVo februári Intel použil svoj 90 nm proces pri výrobe čipov SRAM s najväčšou kapacitou na svete 52 megabitov (so schopnosťou uložiť 52 miliónov bitov informácií). Tieto plne funkčné čipy obsahujú 330 miliónov tranzistorov na ploche len 109 milimetrov štvorcových teda na ploche zhruba ako necht.