báze "FinFET" tranzistora.
Aby sme boli trochu viac v obraze stačí, keď si predstavíme, že takýto počet elektrónov obsahuje jediný atóm niektorého rádioaktívneho izotopu kovu s vyšším protónovým číslom. Sotva to bude atóm zlata, ako uviedli viaceré zahraničné zdroje (napr. NEAsia), ale na veci to veľa nemení.
FinFET (Fin Field Effect Transistor) je poľom riadený tranzistor vyvinutý v spolupráci vedcov z University of California - Berkeley, firmy AMD a Semiconductor Research Corporation (SRC). FinFET používa dve Gate elektródy namiesto jednej u klasických tranzistorov, čo zabezpečuje tenké kremíkové "rebro", alebo "plutva" (Fin), ktoré tiež pomáha riadiť "zvyškový prúd" tečúci tranzistorom vo vypnutom stave. Okrem zlepšených výkonových pomerov je FinFET tranzistor omnoho (rádovo) menší oproti bežným tranzistorom a je považovaný za tranzistor novej generácie. V rámci ďalšieho zvyšovania hustoty integrácie sa očakáva prelomenie hranice miliardy tranzistorov na čipe v roku 2007 FinFET, alebo iný "multigate" FET pritom zrejme nebude chýbať.
V každom prípade to naznačuje nová FLASH pamäť od Infineonu, ktorá oplýva viacerými superlatívmi. Pamäťová bunka má veľkosť len 20 nanometrov, čo je 1/5000 hrúbky ľudského vlasu. V praxi to prináša možnosť vyrobiť pamäte nebývalej kapacity. Medzi vedeckými autoritami v branži panuje všeobecná zhoda, že v priebehu niekoľkých rokov by mohli byť dostupné non-volatilné (na napájaní nezávislé) pamäte s kapacitou až 32 Gbit, teda osemnásobne výkonnejšie než sú dnes dostupné na trhu.
Dnešné špičkové FLASH pamäte majú bunky s veľkosťou 90 nm (každá si dokáže zapamätať 1 alebo 2 bity), ale ich ďalšie zmenšovanie (pri klasickej architektúre polovodičov) prináša mnoho komplikácií vyvolaných fyzikálnymi obmedzeniami v oblasti nanotechnológií. Daňou za ďalšiu miniaturizáciu súčasných pamätí je preto strmý nárast ich nespoľahlivosti, čo predstavuje bariéru sériovej výroby. Infineon sa pokúsil technologické problémy prekonať využitím novej trojdimenzionálnej architektúry na báze FinFET tranzistorov.
Pri nich len 8 nanometrová kremíková prepážka (fin) oddeľuje 20 nm hrubé "gate" elektródy. Informácia v podobe elektrónov sa ukladá do izolačnej vrstvičky nitridu, pričom unikátnou je nízka spotreba elektrónov na zapamätanie si jedného bitu. Kým pri dnešných FLASH pamätiach jeden bit vyžaduje náboj až tisícky elektrónov, v prípade novej pamäte Infineonu je na jeden bit potrebná len desatina (100 elektrónov) a ďalšia stovka elektrónov umožní zaznamenať druhý bit informácie v jednej pamäťovej bunke.
Výrobcovia FLASH pamätí sú momentálne pod tlakom rastúceho dopytu používateľov digitálnych fotoaparátov, videokamier, alebo len prostých pamäťových USB kľúčov. Snaha vyjsť v ústrety trhu je preto logická. Termín komerčnej dostupnosti nových FLASH pamätí na báze FinFET je však zatiaľ otvorený, litografia v oblasti sub-90 nm architektúry jednoducho nie je prechádzka ružovým sadom (viac o problematike a "multigate" tranzistoroch pozri aj v tomto príspevku) a tu narábame s rozmermi 20, či dokonca 8 nm! Výsledok už však, ako sa hovorí, visí vo vzduchu.
Autor: erik
Najdôležitejšie správy z východu Slovenska čítajte na Korzar.sme.sk.
