mikroprocesorov Intel ohlásil vyvinutie nového prototypu ultrarýchleho tranzistora s niekoľkonásobne nižšou spotrebou energie. Tranzistor využíva nové materiály, ktoré by mohli tvoriť základ pre nové mikroprocesory a iné produkty v najbližších rokoch. Ako uvádza Tech News World, výskumníci z Intel-u a QinetinQ spoločne demonštrovali prototyp využívajúci zlúčeninu india a antimónu (InSb), ktorá bude pravdepodobne doplňovať klasický kremík. S jeho pomocou predpokladajú možnosť predĺženia vývoja podľa Mooreovho zákona až do roku 2015. Intel a QinetiQ ohlásili tranzistory využívajúce InSb už dávnejšie. Prototyp predstavený tento týždeň je však menej než polovičnej veľkosti (dĺžka brány 85nm) oproti pôvodne predpokladaným. Novo použitý materiál vykazuje o 50 percent vyšší výkon pri takmer 10-násobne nižšej spotrebe energie, než je zvykom u terajších tranzistorov. Takéto parametre poskytujú väčší priestor pre optimalizáciu výkonu v pomere k spotrebe a predurčujú ho na použitie v mobilných prístrojoch či pri výrobe stále menších a výkonnejších produktov. InSb patrí do triedy materiálov označovaných III-V zmesové polovodiče, ktoré sa v dnešnej dobe využívajú napríklad v rádiových zosilňovačoch, mikrovlnných zariadeniach a polovodičových laseroch. V súvislosti s Intelom sme tento týždeň písali o jeho plánovaných investíciách v Indii, kde plánuje posilniť svoje súčasné operácie čiastkou presahujúcou miliardu dolárov.
Autor: erik
Najdôležitejšie správy z východu Slovenska čítajte na Korzar.sme.sk.
